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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXTC2045E6TA +BOM

40 Volt Bipolar Transistors - BJT NPN & PNP

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTC2045E6TA
Datenblatt:

ZXTC2045E6TA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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ZXTC2045E6TA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 30V 1.5A 1.1W Surface Mount SOT-26

Hauptmerkmale

NPN + PNP Combination
BVCEO> 30 (-30)V
BVCEV> 40 (-40)V
ICM = 5 (-5)A Peak Pulse Current
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	375 mV, 375 mV
Maximum DC Collector Current	1.5 A	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Gain Bandwidth Product fT	265 MHz, 195 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	ZXTC2045
DC Collector/Base Gain hfe Min	180 at 100 mA, 2 V	DC Current Gain hFE Max	180 at 100 mA, 2 V
Height	1.3 mm	Length	3.1 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.8 mm	Unit Weight	0.000529 oz

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