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Siehe Technische Spezifikationen

2ED020I12-FI +BOM

EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge Gate Driver IC for IGBT, MOSFET and SiC MOSFET with typical 1.5 A source and 2.5 A sink currents in PG-DSO-18 package.

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

2ED020I12-FI
Datenblatt:

2ED020I12-FI Datenblatt (PDF)
Input Vcc Max:

18.0 V
Input Vcc Min:

14.0 V
Configuration:

Half Bridge
Isolation Type:

Galvanic isolation - Functional
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2ED020I12-FI

2ED020I12-FI Allgemeine Beschreibung

EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge Gate Driver IC for IGBT, MOSFET and SiC MOSFET with typical 1.5 A source and 2.5 A sink currents in PG-DSO-18 package.

Hauptmerkmale

It has a drain-source voltage (VDS) rating of 1200V and a continuous drain current (ID) rating of 2A.
It has a low gate charge (Qg) of 1.6nC and a low on-resistance (RDS(on)) of 2.4 ohms.
It has a fast switching speed, making it suitable for use in high-frequency applications.
It has a compact surface-mount package, making it easy to mount on circuit boards.

Anwendung

AC-DC power supplies
DC-DC converters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Solar inverters
Motor control

Spezifikationen

Input Vcc max	18.0 V	Input Vcc min	14.0 V
Configuration	Half Bridge	Isolation Type	Galvanic isolation - Functional

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