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Siehe Technische Spezifikationen

2ED21064S06JXUMA1 +BOM

High-Side and Low-Side Gate Driver IC PG-DSO-14

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

2ED21064S06JXUMA1
Datenblatt:

2ED21064S06JXUMA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2ED21064S06JXUMA1

2ED21064S06JXUMA1 Allgemeine Beschreibung

High-Side and Low-Side Gate Driver IC PG-DSO-14

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Operating voltages (VS node) upto + 650 V
Negative VS transient immunity of 100 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
Floating channel designed for bootstrap operation
High and low voltage pins separated for maximum creepage and clearance
Separate logic and power ground, shorten the gate loop
Independent under voltage lockout (UVLO) for both channels
200 ns propagation delay
HIN, LIN logic input
Maximum supply voltage of 25 V
Logic operational up to –11 V on VS Pin
Negative voltage tolerance on inputs of –5 V
The floating channel can be used to drive an N-channel MOSFET, SiC MOSFET or IGBT in the high side configuration
Integrated bootstrap diode (BSD) - Space saving, reduced BOM cost, smaller PCB at lower cost with simpler design
50% lower level-shift losses
Excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages (-100 V) on VS pin

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Battery formation
Consumer
Fast EV charging
LED lighting system design
Motor control and drives

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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