Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2EDN8523FXTMA1 +BOM

High-voltage gate driver enables efficient power conversion and contro

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

2EDN8523FXTMA1
Datenblatt:

2EDN8523FXTMA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2EDN8523FXTMA1

2EDN8523FXTMA1 Allgemeine Beschreibung

Low-Side Gate Driver IC Inverting PG-DSO-8

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

5A peak source/sink current
5ns (typ.) rise/fall times
8V UVLO option
19 ns (typ.) propagation delay for both, for control inputs and for enable
robustness
Outputs robust against reverse current
2 independent channels
Industry standard pin-out and packages
Fast Miller plateau transition
Precise timing
Fast and reliable MOSFET turn-off, independent of control IC
Increased GND-bounce robustness
Saves switching diodes
Option to increase drive current by truly concurrent switching of 2 channels
Straight-forward design up-grades

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

DC-DC converters

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..