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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2ED2108S06FXUMA1 +BOM

Robust and reliable design ensures stable performance in harsh environments

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

2ED2108S06FXUMA1
Datenblatt:

2ED2108S06FXUMA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2ED2108S06FXUMA1

2ED2108S06FXUMA1 Allgemeine Beschreibung

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting PG-DSO-8-53

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Operating voltages (VS node) upto + 650 V
Negative VS transient immunity of 100 V
Integrated ultra-fast, low resistance bootstrap diode, lower the BOM cost
Floating channel designed for bootstrap operation
Maximum supply voltage of 25 V
Independent under voltage lockout (UVLO) for both channels
200 ns propagation delay
Internal 540 ns dead time
HIN, /LIN logic input
Logic operational up to –11 V on VS Pin
Negative voltage tolerance on inputs of –5 V
The floating channel can be used to drive an N-channel MOSFET, SiC MOSFET or IGBT in the high side configuration
Integrated bootstrap diode (BSD) - Space saving, reduced BOM cost, smaller PCB at lower cost with simpler design
50% lower level-shift losses
Excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages (-100 V) on VS pin

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

AC-DC power supplies
Home appliances
Motor control and drives
Power tools

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

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