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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2MBI600NT-060 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

Hersteller:

FUJITSU
Herstellerteil #:

2MBI600NT-060
Datenblatt:

2MBI600NT-060 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

LOW SATURATION VOLTAGE
Collector Current-Max (IC):

600 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2MBI600NT-060

Hauptmerkmale

Square RBSOA
Low Saturation Voltage
Less Total Power Dissipation
Improved FWD Characteristic
Minimized Internal Stray Inductance
Overcurrent Limiting Function (~3 Times Rated Current)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	LOW SATURATION VOLTAGE
Collector Current-Max (IC)	600 A	Collector-Emitter Voltage-Max	600 V
Configuration	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 Code	R-XUFM-X7
Number of Elements	2	Number of Terminals	7
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Application	MOTOR CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	600 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	600 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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