Bezahlverfahren
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Features high current handling, low input impedance, and a high current gai
TO-3PNHersteller:
Herstellerteil #:
2SC2625
Datenblatt:
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
400V
Power Dissipation (Pd):
80W
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
10@4A,5V
EDA/CAD Modelle:
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-65, 3 PIN
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1mA | Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 400V |
Power Dissipation (Pd) | 80W | DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 10@4A,5V |
Collector Current (Ic) | 10A | Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.2V@4A,800mA |
Transistor Type | NPN |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $0,609 | $0,61 |
10+ | $0,546 | $5,46 |
30+ | $0,513 | $15,39 |
100+ | $0,481 | $48,10 |
500+ | $0,463 | $231,50 |
1000+ | $0,410 | $410,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Alle Stücklisten (BOM) können per E-Mail gesendet werden an
[email protected],
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12 Std.
2SC4242
FUJITSU
1000+ $0,171
7MBR50SB120-50
Fuji Electric
Rugged and reliable power device for industrial automation
7MBR50SB-120-50
FUJITSU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
2SK1018
FUJITSU
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2MBI100N-060
Fuji Electric Co Ltd
FUJI IGBT Module