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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7MBR50SB120-50 +BOM

Rugged and reliable power device for industrial automation

Hersteller:

Fuji Electric
Herstellerteil #:

7MBR50SB120-50
Datenblatt:

7MBR50SB120-50 Datenblatt (PDF)
Number Of Pins:

24
Collector Emitter Breakdown Voltage:

1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage:

2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO):

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 7MBR50SB120-50

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Tel: +852 95804164

7MBR50SB120-50 Allgemeine Beschreibung

The 7MBR50SB120-50 is an impressive PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50A 1200V NPT, featuring N Channel Transistor Polarity with a DC Collector Current of 75A and a Collector Emitter Voltage Vces of 2.7V. This high-power module offers a Power Dissipation Pd of 360W, with a Transistor Case Style of Module and 24 pins, operating at a Current Temperature of 25°C. The External Dimensions include a Depth of 62mm, a Length / Height of 20mm, and a Width of 122mm. With a Fall Time tf of 450ns and Full Power Rating Temperature of 25°C, the module provides Isolation Voltage of 2.5kV and a Junction Temperature Tj Max of 150°C. It has a configuration of Seven and contains 7 individual transistors in the M712 Package / Case, with a Power Dissipation Max of 360W. The module also features a Pulsed Current Icm of 150A and a rapid Rise Time of 350ns, with a Screw Termination Type and a Voltage Vces of 1.2kV

Spezifikationen

Number of Pins	24	Collector Emitter Breakdown Voltage	1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage	2.7 V	Collector Emitter Voltage (VCEO)	1.2 kV
Isolation Voltage	2.5 kV	Max Operating Temperature	150 °C
Max Power Dissipation	360 W	Power Dissipation	360 W
Rise Time	350 ns	Width	122 mm

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