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Siehe Technische Spezifikationen

2N1711 +BOM

With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

2N1711
Datenblatt:

2N1711 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

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2N1711 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	800 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	2N1711
Continuous Collector Current	500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
DC Current Gain hFE Max	300	Height	1.5 mm
Length	9.4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	9.4 mm

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