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Siehe Technische Spezifikationen

2N3019 +BOM

80V 800mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-5 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N3019
Datenblatt:

2N3019 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

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2N3019 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39

Anwendung

AMPLIFIER

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	140 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	800 mW
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	15
DC Current Gain hFE Max	300	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.101682 oz

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