Bezahlverfahren
2N4220 +BOM
This small signal FET transistor boasts exceptional frequency performance and low noise figure for precise contro
TO-72-4-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
2N4220
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Datenblatt:
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Technology:
Si
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Mounting Style:
Through Hole
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Transistor Polarity:
N-Channel
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Configuration:
Single
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 4223 Stck
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2N4220 Allgemeine Beschreibung
This high-performance transistor has a total power dissipation rating of 625 mW at 25 degrees Celsius, making it suitable for a wide range of applications. Its transition frequency (ft) of 120 MHz makes it an ideal choice for high-frequency applications where speed and accuracy are paramount. Additionally, the 2N4220 boasts a low noise figure, rendering it perfect for use in low-noise amplifier circuits
Hauptmerkmale
- High power, high frequency
- Low current consumption, low noise
- Rapid switching time, low distortion
- Suitable for audio and radio applications
- Compact size, easy to handle
- Fully isolated, fully tested
Anwendung
- Ideal for audio processing
- Perfect for frequency generators
- Essential for phase locked loops
Spezifikationen
Product Category | JFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 15 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 30 V | Gate-Source Cutoff Voltage | - 4 V |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 3 mA | Id - Continuous Drain Current | 100 pA |
Pd - Power Dissipation | 300 mW | Series | 2N422 |
Forward Transconductance - Min | 1000 uS | Product Type | JFETs |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
Type | JFET | Unit Weight | 0.100919 oz |
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In Stock: 4.223
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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