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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SJ553STR-E +BOM

Described as a P-channel single power MOSFET

Hersteller:

Renesas
Herstellerteil #:

2SJ553STR-E
Datenblatt:

2SJ553STR-E Datenblatt (PDF)
Pkg. Type:

LDPAK(S)-(1)
Carrier Type:

Embossed Tape
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SJ553STR-E

2SJ553STR-E Allgemeine Beschreibung

The 2SJ553STR-E power MOSFET transistor is a versatile component that offers high performance in a compact package. With a drain-source voltage of 100V and a drain current of 7A, this transistor is well-suited for a variety of high-speed switching applications. Its low on-resistance of 0.2 ohms helps to minimize power losses and improve efficiency, making it an ideal choice for high-current systems. Additionally, the fast switching speed of this transistor, with turn-on and turn-off times of 10 ns, allows for precise control of power flow in dynamic environments

Hauptmerkmale

High-speed switching performance
Rugged construction and reliability
Fast response time and accuracy
Laser-trimmed resistor network
Precise current limiting control
Efficient power conversion capabilities

Anwendung

Works well in motor control
Ideal for DC converters
Efficient voltage regulator

Spezifikationen

Pkg. Type

LDPAK(S)-(1)

Carrier Type

Embossed Tape

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