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2SK3569 +BOM

Versatile electronic component for a wide range of applicatio

2SK3569 Allgemeine Beschreibung

MOSFET N Channel 600V 10A 4V @ 1mA 750mΩ @ 5A,10V TO-220F(TO-220IS) RoHS

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Source Content uid 2SK3569 Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Lifetime Buy Pin Count 3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 363 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V Drain Current-Max (ID) 10 A
Drain-source On Resistance-Max 0.75 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style Through Hole Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 10 A Rds On - Drain-Source Resistance 750 mOhms
Series 2SK3569 Height 15 mm
Length 10 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 50 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 4.5 mm
Unit Weight 0.068784 oz

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