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Siehe Technische Spezifikationen

BLF888A +BOM

The BLF888A is a radio frequency metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (RF MOSFET) tailored for N-channel operation

Hersteller:

Ampleon
Herstellerteil #:

BLF888A
Datenblatt:

BLF888A Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Configuration:

Dual Common Source
Channel Mode:

Enhancement
Channel Type:

N
EDA/CAD Modelle:

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BLF888A Allgemeine Beschreibung

Packed into a convenient bolt-down package, this transistor prioritizes ease of installation and efficient heat dissipation. Equipped with essential features such as a built-in thermistor for temperature monitoring and protection, as well as internal input matching for optimal functionality, the BLF888A is designed to excel even in challenging environments. Its enhanced ruggedness and thermal stability ensure consistent operation under strenuous conditions

Hauptmerkmale

High power and high gain
Excellent linearity and low intermodulation distortion
Designed for broadband commercial and military applications
Capable of handling high VSWR mismatch
Integrated ESD protection
Available in bolt down or solder down flange package

Anwendung

High power applications
RF testing equipment
Communications systems

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Active
Configuration	Dual Common Source	Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N	Number of Elements per Chip	1
Mode of Operation	Pulsed RF Class-AB\|DVB-T\|2-Tone Class-AB	Process Technology	LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V)	110	Maximum Gate Source Voltage (V)	11
Maximum VSWR	10	Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	143(Typ)@6.15V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	220@50V	Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	1.2@50V
Typical Output Capacitance @ Vds (pF)	74@50V	Output Power (W)	250(Min)
Typical Power Gain (dB)	21	Maximum Frequency (MHz)	860
Minimum Frequency (MHz)	470	Typical Drain Efficiency (%)	46
Minimum Operating Temperature (°C)	-65	Maximum Operating Temperature (°C)	200
Mounting	Screw	PCB changed	5
Pin Count	5

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