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BLF888B +BOM

104V N-CH RF MOSFET with 5-Pin SOT-539A Package

BLF888B Allgemeine Beschreibung

The BLF888B is a powerful RF Power Field-Effect Transistor designed for use in ultra high frequency bands. With its N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET construction, this transistor offers superior performance and reliability for a variety of applications. The ceramic package ensures durability and thermal efficiency, making it ideal for demanding environments. Additionally, this product is RoHS compliant, meeting international standards for environmental sustainability

Hauptmerkmale

  • The BLF888B is a high-power, NXP RF power transistor designed for use in broadcast and industrial applications
  • It operates in the frequency range of 470 to 860 MHz, with a maximum output power of 1
  • 2 kW
  • The transistor is characterized by its high efficiency, ruggedness, and low intermodulation distortion, making it suitable for demanding RF amplification tasks
  • Anwendung

    • High power handling
    • Reliable RF performance
    • Efficient plasma generation

    Spezifikationen

    ECCN (US) EAR99 Part Status Active
    Configuration Dual Common Source Channel Mode Enhancement
    Channel Type N Number of Elements per Chip 2
    Mode of Operation 2-Tone Class-AB|DVB-T Process Technology LDMOS
    Maximum Drain Source Voltage (V) 104 Maximum Gate Source Voltage (V) 11
    Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 120(Typ)@6.15V Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 210@50V
    Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 1.35@50V Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 67@50V
    Output Power (W) 250(Min) Typical Power Gain (dB) 21
    Maximum Frequency (MHz) 860 Minimum Frequency (MHz) 470
    Typical Drain Efficiency (%) 46 Minimum Operating Temperature (°C) -65
    Maximum Operating Temperature (°C) 200 Mounting Screw
    PCB changed 5 Pin Count 5

    Servicerichtlinien und andere

    After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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