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Siehe Technische Spezifikationen

CSD17570Q5B +BOM

MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

CSD17570Q5B
Datenblatt:

CSD17570Q5B Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

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CSD17570Q5B Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 100A (Ta) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	740 uOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V	Qg - Gate Charge	93 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3.2 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	NexFET	Series	CSD17570Q5B
Configuration	Single	Height	1 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Width	5 mm
Unit Weight	0.005146 oz

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