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Siehe Technische Spezifikationen

CY14B104NA-ZS45XET +BOM

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY14B104NA-ZS45XET
Datenblatt:

CY14B104NA-ZS45XET Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Size:

4Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY14B104NA-ZS45XET

CY14B104NA-ZS45XET Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	45ns	Access Time	45 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.63V	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY14B104
RHoS	yes	PBFree	yes
feature-organization	256Kx16	feature-process-technology
feature-minimum-operating-supply-voltage-v	3	feature-maximum-access-time-ns	45
feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6	feature-maximum-operating-current-ma	65
feature-packaging	Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	44	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	Yes	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive		feature-p-pap
feature-eccn-code	3A991.b.2.a	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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