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Siehe Technische Spezifikationen

CY7C1470BV33-167AXC +BOM

Low voltage operation from to makes it suitable for battery-powered devices

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY7C1470BV33-167AXC
Datenblatt:

CY7C1470BV33-167AXC Datenblatt (PDF)
Series:

NoBL™
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Synchronous, SDR
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an CY7C1470BV33-167AXC

CY7C1470BV33-167AXC Allgemeine Beschreibung

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 72Mbit Parallel 167 MHz 3.4 ns 100-TQFP (14x20)

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	NoBL™
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Synchronous, SDR	Memory Size	72Mbit
Memory Organization	2M x 36	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	167 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Access Time	3.4 ns	Voltage - Supply	3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	CY7C1470	Bank Switching	N
Data Width	x 36	ECC	N
Family	NoBL	On-Die Termination	N
Operating Temperature max	70.0 °C	Operating Temperature min	0.0 °C
Organization (X x Y)	2Mb x 36	Architecture	NoBL, Pipeline
Qualification	Commercial	Lead Ball Finish	Pure Sn
Operating Voltage max	3.63 V	Operating Voltage min	3.14 V
Interfaces	Parallel

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