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Siehe Technische Spezifikationen

DF75R12W1H4FB11BOMA2 +BOM

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 25 A 20 mW Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

DF75R12W1H4FB11BOMA2
Datenblatt:

DF75R12W1H4FB11BOMA2 Datenblatt (PDF)
Series:

EasyPACK™
Configuration:

Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

25 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an DF75R12W1H4FB11BOMA2

DF75R12W1H4FB11BOMA2 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 25 A 20 mW Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	EasyPACK™
IGBT Type	-	Configuration	Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	25 A
Power - Max	20 mW	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.65V @ 15V, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	2 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	DF75R12	feature-technology
feature-channel-type		feature-configuration
feature-maximum-gate-emitter-voltage-v		feature-maximum-collector-emitter-voltage-v
feature-maximum-continuous-collector-current-a		feature-maximum-power-dissipation-mw
feature-packaging	Tray	feature-pin-count
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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