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DF80R12W2H3FB11BPSA1 +BOM

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 20 A 20 mW Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

DF80R12W2H3FB11BPSA1
Datenblatt:

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

EconoPACK™ 2
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 20 A 20 mW Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Low Switching Losses
Al
2
O
3
Integrated NTC temperature sensor
Compact module concept
Optimized customer’s development cycle time and cost
Configuration flexibility

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Solutions for photovoltaic energy systems

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	EconoPACK™ 2
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	20 A
Power - Max	20 mW	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 20A
Current - Collector Cutoff (Max)	1 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	2.35 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	DF80R12	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	no
Product Category	IGBT Modules	Product Type	IGBT Modules
Subcategory	IGBTs	Part # Aliases	DF80R12W2H3F_B11 SP001602664

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