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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

DMN2990UDJ-7 +BOM

Dual N-Channel 20 V 990 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-963

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

DMN2990UDJ-7
Datenblatt:

DMN2990UDJ-7 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DMN2990UDJ-7 Allgemeine Beschreibung

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.33A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

Hauptmerkmale

Low On-Resistance: RDS(ON)
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)
ESD Protected up to 2KV
"Green" Device (Note 4)
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V	Drain Current-Max (ID)	0.33 A
Drain-source On Resistance-Max	0.99 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-F6	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.35 W
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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