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Siehe Technische Spezifikationen

DMP3125L-7 +BOM

Product DMP3125L-7 boasts a MOSFET with a breakdown voltage (BVDSS) ranging between 25V and 30V

Hersteller:

Diodes Inc
Herstellerteil #:

DMP3125L-7
Datenblatt:

DMP3125L-7 Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.5A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

DMP3125L-7 Allgemeine Beschreibung

Engineered in a compact SOT-23 package, the DMP3125L-7 boasts seamless integration into space-constrained designs without compromising on performance. With a maximum junction temperature threshold of 150°C, this MOSFET guarantees consistent and dependable operation across a wide spectrum of environmental conditions. The utilization of advanced process technology and optimized design methodologies ensures that this MOSFET delivers unrivaled performance and efficiency in power management applications

Hauptmerkmale

Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Anwendung

Boost Switch
Power Management Functions
Analog Switch
Load Switch

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	254 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	650mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	DMP3125

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