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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

EMD9T2R +BOM

Transistor Dual Digital, Pnp/Npn, Emt

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

EMD9T2R
Datenblatt:

EMD9T2R Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

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EMD9T2R Allgemeine Beschreibung

One key attribute of this product is the Base Input Resistor R1, which is set at 10kohm. This ensures precise control of the transistor's operation, allowing for accurate switching and amplification in digital circuits. Additionally, the Base-Emitter Resisto helps optimize the transistor's performance by regulating the flow of current between the base and emitter terminals

Hauptmerkmale

1) DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT or UMT or SMT package.

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Additional Feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	Collector Current-Max (IC)	0.07 A
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	68	JESD-30 Code	R-PDSO-F6
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	6	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	NPN AND PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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