Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

EMX52T2R +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN Driver Transistor

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

EMX52T2R
Datenblatt:

EMX52T2R Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 5mA, 50mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an EMX52T2R

EMX52T2R Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount EMT6

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays	Series	-
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Power - Max	150mW	Frequency - Transition	350MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	EMX52	Pin Count	6
Released Date	Aug 19, 2020	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..