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Siehe Technische Spezifikationen

EMB53T2R +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+PNP Digital transistor (with built-in resistors)

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

EMB53T2R
Datenblatt:

EMB53T2R Datenblatt (PDF)
Configuration:

Dual
Transistor Polarity:

PNP
Typical Input Resistor:

4.7 kOhms
Mounting Style:

SMD/SMT

EMB53T2R Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Spezifikationen

Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration:	Dual
Transistor Polarity:	PNP	Typical Input Resistor:	4.7 kOhms
Mounting Style:	SMD/SMT	DC Collector/Base Gain hfe Min:	100 at - 5 mA, - 10 V
Maximum Operating Frequency:	250 MHz	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Continuous Collector Current:	100 mA	Pd - Power Dissipation:	150 mW
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Packaging:	Cut Tape
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V	Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity:	8000	Subcategory:	Transistors
Part # Aliases:	EMB53

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