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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

EMG8T2R +BOM

100mA Current Capacity at 50V Voltage Rating

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

EMG8T2R
Datenblatt:

EMG8T2R Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

5
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an EMG8T2R

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

EMG8T2R Allgemeine Beschreibung

The EMG8T2R is a versatile product designed to meet the needs of various applications requiring the integration of two transistors. Its ultra-compact package makes it ideal for use in pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators, driver ICs, and more. With this product, users can expect reliable performance and seamless integration into their designs

Hauptmerkmale

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	5	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Additional Feature	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	Collector Current-Max (IC)	0.1 A
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE)	80	JESD-30 Code	R-PDSO-F5
JESD-609 Code	e2	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	5
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin/Copper (Sn/Cu)	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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