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Siehe Technische Spezifikationen

FD1200R17HP4-K_B2 +BOM

IGBT Modules IGBT Module 1200A 1700V

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FD1200R17HP4-K_B2
Datenblatt:

FD1200R17HP4-K_B2 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
Current - Collector (Ic) (Max):

1200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.25V @ 15V, 1.2kA
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FD1200R17HP4-K_B2 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Single Chopper 1700 V 1200 A Chassis Mount AG-IHVB130-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	-	Configuration	Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V	Current - Collector (Ic) (Max)	1200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 1.2kA	Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FD1200R	Features	200% PC
IC max	1200.0 A	Qualification	Traction
Technology	IGBT4 - P4	Housing	IHM B
Voltage Class max	1700.0 V

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