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Siehe Technische Spezifikationen

FD600R17KE3B2NOSA1 +BOM

IGBT Module Single Chopper 1700 V 4300 W Chassis Mount Module

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FD600R17KE3B2NOSA1
Datenblatt:

FD600R17KE3B2NOSA1 Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
Power - Max:

4300 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.45V @ 15V, 600A
EDA/CAD Modelle:

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FD600R17KE3B2NOSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Single Chopper 1700 V 4300 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Enlarged Diode for regenerative operation
High reliability and robust module construction
High power density for compact inverter designs
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	-	Configuration	Single Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V	Power - Max	4300 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 600A	Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	54 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	No	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	FD600R17
RHoS	no	PBFree	no
HalogenFree	no	Product Category	IGBT Modules
Product Type	IGBT Modules	Subcategory	IGBTs
Part # Aliases	FD600R17KE3_B2 SP000091885

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