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Siehe Technische Spezifikationen

FGB20N60SFD +BOM

IGBT, 600V, 20A, Field Stop

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FGB20N60SFD
Datenblatt:

FGB20N60SFD Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2.8 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGB20N60SFD

FGB20N60SFD Allgemeine Beschreibung

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Hauptmerkmale

High current capability
Low saturation voltage: V_CE(sat) =2.2V @ I_C = 20A
High input impedance
Fast switching: E_OFF =8uJ/A
RoHS compliant

Anwendung

Other Industrial

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.8 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	40 A	Pd - Power Dissipation	83 W
Series	FGB20N60SFD	Gate-Emitter Leakage Current	400 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.046296 oz

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