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Siehe Technische Spezifikationen

FGPF15N60UNDF +BOM

IGBT, 600V, 15A, Short Circuit Rated

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FGPF15N60UNDF
Datenblatt:

FGPF15N60UNDF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2.2 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGPF15N60UNDF

FGPF15N60UNDF Allgemeine Beschreibung

With the FGPF15N60UNDF, ON Semiconductor has brought to market a product that excels in low-power inverter-driven applications. Utilizing state-of-the-art NPT IGBT technology, this product is engineered to deliver unmatched performance while prioritizing low-losses and short-circuit ruggedness, making it a perfect fit for critical applications such as sewing machines, CNC machines, motor control systems, and home appliances

Hauptmerkmale

Fast switching time
Low input current
High isolation voltage
Surge immunity tested

Anwendung

Compact Design - Robotics
Intuitive Interface - Consumer Electronics
Advanced Technology - Renewable Energy

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.2 V	Continuous Collector Current at 25 C	30 A
Pd - Power Dissipation	17 W	Series	FGPF15N60UNDF
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	IGBTs	Unit Weight	0.080072 oz

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