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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FGH25T120SMD +BOM

IGBT Transistors FS2TIGBT TO247 25A 1200V

Hersteller:

MICROSS COMPONENTS
Herstellerteil #:

FGH25T120SMD
Datenblatt:

FGH25T120SMD Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

50 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGH25T120SMD

FGH25T120SMD Allgemeine Beschreibung

Using innovative field stop trench IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.

Hauptmerkmale

FS Trench Technology, Positive Temperature Coefficient
High Speed Switching
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.8 V @ IC = 25 A
100% of The Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
RoHS Compliant

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	50 A
Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V	Configuration	SINGLE
JESD-30 Code	R-XUUC-N2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	UPPER	Transistor Application	MOTOR CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	584 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	88 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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