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Siehe Technische Spezifikationen

FGY100T120RWD +BOM

1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FGY100T120RWD
Datenblatt:

FGY100T120RWD Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FGY100T120RWD

FGY100T120RWD Allgemeine Beschreibung

Discover the superior quality and advanced capabilities of the FGY100T120RWD, a dynamic product that is revolutionizing the field of power electronics. Engineered with precision and innovation, this product offers unmatched efficiency and performance for a wide range of applications. From motor control to data centers, the FGY100T120RWD ensures optimal operation and energy savings, making it an essential component for modern industrial settings

Hauptmerkmale

Low Conduction Loss and Optimized Switching
Maximum Junction Temperature- TJ =175℃
Positive Temperature Coefficient
100% of the Parts are Dynamically Tested
Short Circuit Rated

Anwendung

Motor Control
General Applications Requiring High Power Switch

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.43 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	200 A
Pd - Power Dissipation	1.495 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	200 A
Gate-Emitter Leakage Current	400 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs

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