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Siehe Technische Spezifikationen

FS75R06KE3 +BOM

Advanced IGBT technology enables high-frequency operation and reduced losse

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

FS75R06KE3
Datenblatt:

FS75R06KE3 Datenblatt (PDF)
IC Max:

75.0 A
Housing:

EconoPACK™ 2
Configuration:

Sixpack
Qualification:

Industrial

FS75R06KE3 Allgemeine Beschreibung

Infineon's FS75R06KE3 silicon carbide power MOSFET module is a game-changer for high-power, high-frequency applications. Its 62mm module with a half-bridge configuration makes it an excellent choice for inverter systems, and with a voltage rating of 650V and a maximum current rating of 75A, it is well-equipped to handle the demands of electric vehicles, renewable energy systems, and industrial drives. Leveraging silicon carbide technology, this module boasts low on-state resistance and fast switching speeds, outperforming traditional silicon-based MOSFETs and delivering improved efficiency and reduced power losses. Safety is paramount, and the FS75R06KE3 incorporates overcurrent, overtemperature, and short-circuit protection features to ensure secure and reliable operation. Furthermore, its high thermal conductivity allows for efficient heat dissipation, enabling dependable operation even in harsh environmental conditions

Hauptmerkmale

Excellent thermal shock resistance
Precise control of temperature achieved
Superior durability and reliability

Anwendung

Grid integration
Energy storage
Smart grid solutions

Spezifikationen

IC max	75.0 A	Housing	EconoPACK™ 2
Configuration	Sixpack	Qualification	Industrial
Technology	IGBT3 - E3	Voltage Class max	600.0 V
Features	Solder pin

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