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Siehe Technische Spezifikationen

FZ1200R33HE3

IGBT Modules IGBT Module 1200A 3300V

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FZ1200R33HE3
Datenblatt:

FZ1200R33HE3 Datenblatt (PDF)
Series:

IHM-B
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

3300 V
EDA/CAD Modelle:

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FZ1200R33HE3 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 3300 V 1200 A 13000 W Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

High DC stability
High short circuit capability
Self limiting short circuit current
Low switching losses
Unbeatable robustness
Tvj op = 150°C
Low VCEsat with positive temperature coefficient
AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
Package with CTI > 600
Isolated base plate
Standardized housing

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Motor control and drives
Wind energy systems
Traction
Commercial, construction and agricultural vehicles (CAV)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	IHM-B
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	3300 V	Current - Collector (Ic) (Max)	1200 A
Power - Max	13000 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 1200A
Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	210 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	FZ1200

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