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Siehe Technische Spezifikationen

FZ1800R12KF4 +BOM

High-power switching for DC/AC motor drives and power conversion application

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FZ1800R12KF4
Datenblatt:

FZ1800R12KF4 Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Triple Common Emitter Common Gate
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2.7 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FZ1800R12KF4

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen FZ1800R12KF4-Treiber von Infineon Technologies Corporation an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung FZ1800R12KF4.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Triple Common Emitter Common Gate	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.7 V	Continuous Collector Current at 25 C:	1.8 kA
Gate-Emitter Leakage Current:	400 nA	Pd - Power Dissipation:	5 kW
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 125 C
Height:	48 mm	Length:	190 mm
Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V	Mounting Style:	SMD/SMT
Product Type:	IGBT Modules	Factory Pack Quantity:	1
Subcategory:	IGBTs	Technology:	Si
Width:	140 mm	Product Category	IGBT Modules
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Triple Common Emitter Common Gate
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.7 V
Continuous Collector Current at 25 C	1.8 kA	Gate-Emitter Leakage Current	400 nA
Pd - Power Dissipation	5 kW	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Height	48 mm
Length	190 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	SMD/SMT	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	140 mm

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