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Siehe Technische Spezifikationen

FZ600R12KP4 +BOM

Power module featuring insulated gate bipolar transistors with a capacity of 1200V and 600A

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

FZ600R12KP4
Datenblatt:

FZ600R12KP4 Datenblatt (PDF)
IC Max:

600.0 A
Housing:

62 mm
Configuration:

Single switch
Qualification:

Industrial
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FZ600R12KP4

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

FZ600R12KP4 Allgemeine Beschreibung

The FZ600R12KP4 from Infineon Technologies sets a new standard for high-power IGBT modules with its cutting-edge design and advanced features. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 600A, this module is capable of delivering exceptional performance in a wide range of industrial applications. The EconoDUAL™ 3 portfolio is known for its robustness and reliability, and the FZ600R12KP4 is no exception. The built-in NTC temperature sensor ensures that the module operates within safe temperature limits, preventing overheating and ensuring long-term reliability

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Unbeatabel robustness
V CEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
4 kV AC 1 min insulation
Package with CTI > 400
High creepage and clearance distances
Isolated base plate
Standard housing
Flexibility
Optimal electrical performance
Highest reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Potential Applications

Spezifikationen

IC max	600.0 A	Housing	62 mm
Configuration	Single switch	Qualification	Industrial
Technology	IGBT4 - P4	Voltage Class max	1200.0 V

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