Bezahlverfahren
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-Element, N-Channel, Silicon Carbide
TO-263-8,D2PAK(7Leads+Tab),TO-263CAHersteller:
Herstellerteil #:
G2R1000MT17J
Datenblatt:
Series:
G2R™
FET Type:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
1700 V
EDA/CAD Modelle:
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N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Series | G2R™ | FET Type | N-Channel |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Vgs (Max) | +20V, -10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139 pF @ 1000 V |
Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | G2R1000 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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G3R12MT12K
GeneSiC Semiconductor
Field-Effect Transistor for Power Applications
G3R20MT12K
GENESIC SEMICONDUCTOR
1200V 20mΩ TO-247-4 G3R™ SiC MOSFET
G3R20MT17K
GeneSiC Semiconductor
G3R20MT17K High-Power MOSFET
G3R20MT12N
GeneSiC Semiconductor
MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 105A, 365W;
G2R1000MT33J
GeneSiC Semiconductor
This TO-263-7 surface mount component can handle up to 4A of current and dissipate 74W of power