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100A-rated N-channel silicon carbide MOSFET housed in SOT227 package
SOT-227-4,miniBLOCHersteller:
Herstellerteil #:
G3R20MT17N
Datenblatt:
Series:
G3R™
FET Type:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
1700 V
EDA/CAD Modelle:
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N-Channel 1700 V 100A (Tc) 523W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Series | G3R™ | FET Type | N-Channel |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 75A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 15mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10187 pF @ 1000 V | Power Dissipation (Max) | 523W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
Base Product Number | G3R20 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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G3R12MT12K
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Field-Effect Transistor for Power Applications
G3R20MT12K
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1200V 20mΩ TO-247-4 G3R™ SiC MOSFET
G3R20MT17K
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G3R20MT17K High-Power MOSFET
G3R20MT12N
GeneSiC Semiconductor
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G2R1000MT33J
GeneSiC Semiconductor
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