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IGBT 600 V 15 A 30 W Through Hole TO-220SIS
TO-220SISHersteller:
Herstellerteil #:
GT15J341,S4X
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
600 V
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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IGBT 600 V 15 A 30 W Through Hole TO-220SIS
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 25 V, 25 V | Continuous Collector Current at 25 C | 15 A |
Pd - Power Dissipation | 30 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | GT15J341 |
Continuous Collector Current Ic Max | 60 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 50 |
Subcategory | IGBTs |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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