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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

GT15Q102 +BOM

IGBT Transistors

Hersteller:

TOSHIBA CORP
Herstellerteil #:

GT15Q102
Datenblatt:

GT15Q102 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT15Q102

Hauptmerkmale

Spezifikationen

Source Content uid	GT15Q102	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	12 Weeks	Additional Feature	HIGH SPEED
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	15 A
Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf)	320 ns	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	170 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	560 ns	Turn-on Time-Nom (ton)	120 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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