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Siehe Technische Spezifikationen

GT60N321(Q) +BOM

TO3P LH rated at 1000 volts, 60 amps, and 170 watts, belonging to the Insulated Gate Bipolar Transistor category

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

GT60N321(Q)
Datenblatt:

GT60N321(Q) Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an GT60N321(Q)

GT60N321(Q) Allgemeine Beschreibung

The GT60N321(Q) is a robust and high-performance IGBT module perfectly suited for a wide range of industrial applications. With its impressive 80A collector current and 1700V collector-emitter voltage, this module is ideal for handling high voltage and high current requirements. Its design, featuring six parallel-connected IGBT chips and a fast recovery diode, ensures efficient switching performance and improved overall system efficiency. The compact and durable housing makes integration into various systems a breeze, while its ability to operate at frequencies up to 20 kHz makes it an excellent choice for applications requiring precise control, such as variable speed drives

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 25 V, + 25 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	GT60N321	Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Height	26 mm	Length	20.5 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	100
Subcategory	IGBTs	Width	5.2 mm
Unit Weight	0.238311 oz

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