Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IGD06N60TATMA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 12 A 88 W Surface Mount PG-TO252-3-11

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IGD06N60TATMA1
Datenblatt:

IGD06N60TATMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IGD06N60TATMA1

IGD06N60TATMA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600 V 12 A 88 W Surface Mount PG-TO252-3-11

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	12 A
Pd - Power Dissipation	88 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trenchstop IGBT3
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IGD06N60T SP000960698
Unit Weight	0.011175 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..