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Siehe Technische Spezifikationen

IGW30N65L5XKSA1 +BOM

IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IGW30N65L5XKSA1
Datenblatt:

IGW30N65L5XKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IGW30N65L5XKSA1

IGW30N65L5XKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.05 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	85 A
Pd - Power Dissipation	227 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	Trenchstop IGBT5
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IGW30N65L5 SP001174472
Unit Weight	0.213580 oz

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