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Siehe Technische Spezifikationen

IGW03N120H2 +BOM

Efficient power conversion for industrial-grade projects

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IGW03N120H2
Datenblatt:

IGW03N120H2 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IGW03N120H2

IGW03N120H2 Allgemeine Beschreibung

IGBT 1200 V 9.6 A 62.5 W Through Hole PG-TO247-3-1

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	9.6 A
Pd - Power Dissipation	62.5 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IGW03N120
Continuous Collector Current Ic Max	9.6 A	Height	20.95 mm
Length	15.9 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Width	5.3 mm	Part # Aliases	IGW3N12H2XK SP000014182 IGW03N120H2FKSA1
Unit Weight	1.340411 oz

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