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Siehe Technische Spezifikationen

IGU04N60T +BOM

00V 8A 42W N-channel

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IGU04N60T
Datenblatt:

IGU04N60T Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IGU04N60T

IGU04N60T Allgemeine Beschreibung

The IGU04N60T raises the bar for performance and efficiency as a hard-switching 600V, 4A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO251 package. The innovative combination of trench-cell and fieldstop concept ensures significant improvements in static and dynamic performance, while the inclusion of a soft-recovery emitter controlled diode further enhances energy efficiency by reducing turn-on losses. With the IGU04N60T, you can expect the highest level of efficiency, thanks to its optimal balance between switching and conduction losses. This makes it the ideal choice for applications where performance and energy savings are top priorities

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	9.5 A
Pd - Power Dissipation	42 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	TRENCHSTOP IGBT
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1500
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	SP001045846 IGU04N60TAKMA1	Unit Weight	0.013635 oz

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