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Siehe Technische Spezifikationen

IGP30N60H3XKSA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO220-3-1

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IGP30N60H3XKSA1
Datenblatt:

IGP30N60H3XKSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
Technology:

Si

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IGP30N60H3XKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO220-3-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Low switching losses for high efficiency
Excellent V
ce(sat)
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability 5μs
Offering T
j(max)
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Low switching and conduction losses
Very good EMI behavior
Can be used with a small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
High current density
Best-in-class 600 V IGBT efficiency and EMI behavior

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Power Management, Alternative Energy

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Product Category	IGBT Transistors
Technology	Si	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Series	HighSpeed 3	Product Type	IGBT Transistors
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	IGP30N60H3 SP000702546

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