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Siehe Technische Spezifikationen

IGU04N60TAKMA1 +BOM

IGBT Trench 600 V 8 A 42 W Through Hole PG-TO251-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IGU04N60TAKMA1
Datenblatt:

IGU04N60TAKMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchStop™
IGBT Type:

Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

600 V
Current - Collector (Ic) (Max):

8 A
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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IGU04N60TAKMA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench 600 V 8 A 42 W Through Hole PG-TO251-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Lowest V
CEsat
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V
CEsat
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Highest efficiency – low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design
High device reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Home appliances
Industrial heating and welding
Motor control and drives
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	TrenchStop™
IGBT Type	Trench	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Current - Collector (Ic) (Max)	8 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.05V @ 15V, 4A	Power - Max	42 W
Switching Energy	61µJ (on), 84µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	27 nC	Td (on/off) @ 25°C	14ns/164ns
Test Condition	400V, 4A, 47Ohm, 15V	Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IGU04N60
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Product Category	IGBT Transistors
Technology	Si	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IGU04N60T SP001045846

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