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Siehe Technische Spezifikationen

IHW20N120R +BOM

TO-247AC N-CHANNEL IGBT rated at 30 amps and 1200 volts

Hersteller:

infineon
Herstellerteil #:

IHW20N120R
Datenblatt:

IHW20N120R Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW20N120R

IHW20N120R Allgemeine Beschreibung

Features:• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage• Body diode clamps negative voltages• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior• NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)• Low EMI• Qualified according to JEDEC1 for target applications• Pb-free lead plating; RoHS compliant• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/Applications:• Inductive Cooking• Soft Switching Applications

Hauptmerkmale

Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
Body diode clamps negative voltages
Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)
Low EMI
Qualified according to JEDEC1 for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Complete product spectrum and PSpice Models :

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current Ic Max	20 A	Height	20.95 mm
Length	15.9 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Width	5.3 mm	Unit Weight	1.340411 oz

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