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IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 231 W Through Hole PG-TO247-3
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
IHW25N120E1XKSA1
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 231 W Through Hole PG-TO247-3
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 50 A |
Pd - Power Dissipation | 231 W | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | IGBT RC Soft Switching |
Continuous Collector Current Ic Max | 50 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 240 |
Subcategory | IGBTs | Part # Aliases | IHW25N120E1 SP001391910 |
Unit Weight | 0.211644 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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