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Siehe Technische Spezifikationen

IHW20N120R3FKSA1 +BOM

IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IHW20N120R3FKSA1
Datenblatt:

IHW20N120R3FKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IHW20N120R3FKSA1

IHW20N120R3FKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.48 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	40 A
Pd - Power Dissipation	310 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	RC
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IHW20N120R3 SP000437702 IHW2N12R3XK
Unit Weight	0.191185 oz

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